EXCELITAS埃塞力达   C30659-UV-1     雪崩光电二极管
  • EXCELITAS埃塞力达   C30659-UV-1     雪崩光电二极管

EXCELITAS埃塞力达 C30659-UV-1   雪崩光电二极管

EXCELITAS埃塞力达   C30659-UV-1     雪崩光电二极管

UV增强型Si APD在400和950nm之间具有极佳响应度,而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端,设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。


  • 系统带宽:50 MHz
  • 超低等效噪声功率(NEP)
    • 在500 nm处为10 fW/√Hz
  • 光谱响应范围:400至950nm
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50 Ω交流负载能力(交流耦合)
  • 气密TO-8封装
  • 高可靠性

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