EXCELITAS埃塞力达 C30659-1550E-R08BH 雪崩光电二极管
C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。
这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同，而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。
- 系统带宽：200 MHz
- 超低等效噪声功率（NEP）
- 在1300 nm处为250 fW/√Hz
- 在1550 nm处为220 fW/√Hz
- 光谱响应范围：峰值在1550 nm
- 典型功耗：150 mW
- ±5 V放大器工作电压
- 50 Ω交流负载能力（交流耦合）
- 气密TO-8封装
- 高可靠性
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