EXCELITAS埃塞力达 C30902EH 雪崩光电二极管
用于弱光探测的低噪声穿透式APD
C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构。这种结构在400 nm和1000 nm之间提供高响应性，以及在所有波长下的极快上升和下降时间。该器件的响应性在800 MHz以下时通常与调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。光敏表面的有效直径为0.5 mm。
C30902 APD系列还具有单光子能力的APD（SPAD），可在盖革模式和线性模式下大幅提高增益。请参阅我们的C30902SH数据表以了解更多信息。
功能与优点：
- 采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD
- 高量子效率 - 800 nm下通常为84 %
- 室温下噪声低
- 高响应度：内部雪崩增益>150
- 光谱响应范围：400至1100 nm
- 响应时间：通常为0.4 ns
- 较宽的工作温度范围：-40 °C至+85 °C
应用领域：
- LiDAR / ToF测量
- 光学时域反射仪（OTDR）
- 弱信号荧光检测
- 激光扫描
感光面积：0.2 mm²
感光直径：0.5 mm
击穿电压：225 V（典型值）
结电容：1.5 pF
温度系数：0.7 V/°C（典型值）
暗电流：7 nA
暗噪声：0.1 pA/√Hz
等效噪声功率：1.23 fW/√Hz
典型响应度：800 nm下为80 A/W
推荐增益：150
封装：TO-18，平面窗口
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